MEMORIA NOTEBOOK DDR3 KVR16LS11/4 4GB 1600MHZ CL11

Especificações:
CL(IDD): 11 ciclos
Row Cycle Time (tRCmin): 48.125ns (mín.)
Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin) 260ns (min.)
Row Active Time (tRASmin): 35ns (min.)
Consumo de energia :2.376 W*
UL Rating: 94 V - 0
Temperatura de Operação: 0oC a 85oC
Temperatura de Armazenamento: -55oC a +100oC
*O consumo de energia irá variar de acordo com a memória RAM em uso.
Caracteristicas: Tensão padrão JEDEC: 1.35V (1.28V ~ 1.45V) e 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
VDDQ = 1.35V (1.28V ~ 1.45V) e 1.5V (1.425V ~1.575V)
800MHz fCK para 1600Mb/sec/pin
8 bancos internos independentes
Latência CAS Programável:11, 10, 9, 8, 7, 6
Latência programável adicional: 0, CL - 2, ou CL - 1 clock
8-bit pre-fetch
Burst Length: 8 (Interleave sem limitação, apenas sequencial
com endereço inicial 000), 4 com tCCD = 4 que não permite leitura ou
escrita transparente [em tempo real usando ou A12 ou MRS]
Data Strobe Diferencial bi-direcional
Auto Calibração Interna: através do pino ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%)
Terminação no Die usando o pino ODT
Período médio de atualização 7.8us a uma temperatura menor que
(TCASE) 85°C, 3.9us em 85°C < TCASE < 95°C
Reset assíncrono
PCB: Altura 1.180 (30mm), com componentes de ambos os lados
Garantia de 60 mês(es)